محمدرضا بیاتیانی، فاطمه سیف، محمد ارجمندزادگان، مونا مقدسی، آرش پروین،
دوره 28، شماره 4 - ( 7-1404 )
چکیده
مقدمه: در دنیای امروز، با گسترش فناوری‌های الکترونیکی و تجهیزات تولیدکننده میدان‌های الکترومغناطیسی، انسان‌ها و سایر موجودات زنده به‌طور مداوم در معرض این میدان‌ها قرار دارند. این مواجهه می‌تواند تأثیرات بیولوژیکی قابل‌توجهی بر رشد و عملکرد موجودات زنده داشته باشد. این پژوهش به ارزیابی تأثیر میدان‌های مغناطیسی متناوب با شدت‌ها و فرکانس‌های مختلف بر میزان رشد باکتری‌های اشریشیا کلی (Escherichia coli) به عنوان یک باکتری گرم منفی و استافیلوکوکوس اورئوس (Staphylococcus aureus) به عنوان یک باکتری گرم مثبت، پرداخته است.
روش کار: این مطالعه، اثر میدان‌های مغناطیسی متناوب با شدت‌های ۱ و ۲ میلی‌تسلا و فرکانس‌های ۵۰، ۷۵، ۱۰۰ و ۱۵۰ هرتز بر رشد باکتری‌های اشریشیا کلی و استافیلوکوکوس اورئوس مورد بررسی قرار گرفت. برای این منظور، از تکنیک شمارش صفحات استاندارد استفاده شد. نمونه‌ها در دمای ۳۷ درجه سانتی‌گراد به مدت ۲۴ ساعت انکوبه شدند و تعداد کلونی‌ها به صورت واحدهای تشکیل‌دهنده کلونی (CFU/ml) شمارش شد.
یافته‌ها: نتایج نشان داد که تعداد کلونی‌های اشریشیا کلی تحت تأثیر میدان‌های مغناطیسی به‌طور معنی‌داری بیشتر از گروه کنترل بود (0/05 > P). درمقابل، تعداد کلونی‌های استافیلوکوکوس اورئوس پس از مواجهه با میدان مغناطیسی کاهش معنی‌داری (0/05 > P) را نشان داد.
نتیجه‌گیری: نتایج این مطالعه نشان داد که میدان‌های مغناطیسی متناوب می‌توانند تأثیرات متفاوتی بر رشد باکتری‌های مختلف داشته باشند. طبق این نتایج، کاهش در تعداد کلونی‌ها بر اثر اعمال میدان مغناطیسی در استافیلوکوکوس اورئوس مشاهده شد، در حالی که افزایش تعداد کلونی‌ها در اشریشیا کلی دیده شد. این یافته‌ها می‌توانند در توسعه روش‌های جدید برای کنترل رشد باکتری‌ها و کاربردهای بیوتکنولوژی مورد استفاده قرار گیرند.
